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J-GLOBAL ID：201302230895637440   Reference number：13A1406262

GeTe/Sb₂Te₃超格子相変化メモリに現れるトポロジカル絶縁性とスピントロニクスへの展開

Author (1)： TOMINAGA JUNJI (産総研 ナノエレクトロニクス研究部門)
Material： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
Volume： 68  Issue： 2 第4分冊  Page： 603  Publication year： Aug. 26, 2013 
JST Material Number： S0671B  ISSN： 1342-8349  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： antimony compound ,  telluride (chalcogenide) ,  *germanium compound ,  superlattice ,  nonvolatile memory ,  insulating material ,  *spintronics ,  magnetoresistance effect ,  effect ,  magnetic memory ,  *band structure ,  ferroelectricity ,  *phase change random access memory ,  insulator ,  *topological insulator ,  Dirac cone ,  Rashba effect ,  *antimony telluride ,  *germanium telluride
Semi thesaurus term： *phase change memory ,  表面バンド

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Electronic structure of crystalline insulators  (BM02070Y)

Terms in the title (6)： GeTe ,  超格子 ,  相変化メモリ ,  絶縁性 ,  スピントロニクス ,  展開