Art

J-GLOBAL ID：201302233112586244   Reference number：13A0565626

Bimolecular interlayer scattering of electrons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires

InP/InAs/InPコア-マルチシェルナノワイヤー中の電子の二分子層間散乱

Author (6)： MASUMOTO Yasuaki (Inst. of Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-8571, JPN) ,  GOTO Ken (Inst. of Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-8571, JPN) ,  TOMIMOTO Shinichi (Inst. of Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-8571, JPN) ,  MOHAN Premila (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  MOTOHISA Junichi (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  FUKUI Takashi (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
Material： Journal of Luminescence  (J Lumin)
Volume： 133  Page： 135-137  Publication year： Jan. 2013 
JST Material Number： D0731A  ISSN： 0022-2313  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium phosphide ,  *indium arsenide ,  structure ,  nanowire ,  *photoluminescence ,  quantum wire ,  quantum well ,  nanotube ,  wurtzite type crystal ,  *electron scattering ,  *core-shell structure
Semi thesaurus term： upconversion luminescence ,  Wurtzite type structure ,  quantum-well ,  quantum wire

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Electronic structure of molecules  (BH05010Q)

Terms in the title (6)： InP ,  InAs ,  コア ,  電子 ,  二分子層 ,  散乱