Art

J-GLOBAL ID：201302233554121011   Reference number：13A0215468

Structural and transport properties of strained SiGe grown on V-groove patterned Si(110) substrates

V字型溝パターンがあるSi(110)基盤上で成長した歪みSiGeの構造および輸送特性

Author (10)： SHIRAKI Y ,  SAWANO K ,  NAKAJIMA K ,  USAMI N ,  NAKAGAWA K ,  YAMANAKA J ,  WATANABE M ,  SHIMIZU K ,  KAWAGUCHI G ,  ARIMOTO K
Material： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Volume： 311  Issue： 3  Page： 814-818  Publication year： 2009 
JST Material Number： O2133A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： V字型溝 ,  Si ,  基盤 ,  成長 ,  歪み ,  SiGe ,  輸送特性