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J-GLOBAL ID：201302236290802200   Reference number：13A1936937

Graphene Growth and Carbon Diffusion Process during Vacuum Heating on Cu(111)/Al₂O₃ Substrates

軽くドーピングしたドレーン領域のドーパント濃度のN型金属誘導横向き結晶 多結晶けい素薄膜トランジスタの電気特性への効果

Author (7)： OGAWA Shuichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMADA Takatoshi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ISHIDZUKA Shinji (Nagaoka Univ. Technol. (AIST), Niigata, JPN) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  HASEGAWA Masataka (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TERAOKA Yuden (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  TAKAKUWA Yuji (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 52  Issue： 11,Issue 1  Page： 110122.1-110122.8  Publication year： Nov. 25, 2013 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  polycrystal ,  *thin film transistor ,  electrical property ,  dopant ,  concentration (ratio) ,  optimization ,  mass spectrometry ,  leakage current ,  modification

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (37)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov: Science 306 (2004) 666.
• K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J.-H. Ahn, P. Kim, J.-Y. Choi, and B. H. Hong: Nature 457 (2009) 706.
• T. Yamada, M. Ishihara, J. Kim, M. Hasegawa, and S. Iijima: Carbon 50 (2012) 2615.
• B. Lersmacher, H. Lydtin, W. F. Knippenberg, and A. W. Moore: Carbon 5 (1967) 205.
• L. C. Isett and J. M. Blakely: Surf. Sci. 58 (1976) 397.

Terms in the title (9)： ドーピング ,  ドレーン ,  ドーパント ,  誘導 ,  横向き ,  結晶 ,  多結晶けい素 ,  薄膜トランジスタ ,  電気特性