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J-GLOBAL ID：201302237536515946   Reference number：13A0536472

Light penetration depth dependence of photocarrier life time and the Hall effect in phosphorous-doped and boron-doped homoepitaxial CVD diamond films

リンドープおよびホウ素ドープホモエピタキシャルCVDダイヤモンド膜における光キャリア寿命およびHall効果の光侵入深さ依存性

Author (6)： MURAYAMA Kazuro (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Tokyo 156-8550, JPN) ,  MIZOKAWA Ryo (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Tokyo 156-8550, JPN) ,  MORI Manami (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Tokyo 156-8550, JPN) ,  KATO Hiromitsu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8565, JPN) ,  OKUSHI Hideyo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8565, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8565, JPN)
Material： Diamond and Related Materials  (Diam Relat Mater)
Volume： 33  Page： 49-53  Publication year： Mar. 2013 
JST Material Number： W0498A  ISSN： 0925-9635  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film ,  *diamond ,  *phosphorus compound ,  *doping ,  epitaxy ,  *chemical vapor deposition ,  boron compound ,  alkane ,  hydrogen ,  phosphine ,  carrier wave ,  *carrier lifetime ,  *Hall effect ,  penetration depth(ratio) ,  *photocurrent ,  positive hole ,  band gap ,  electron density
Semi thesaurus term： CVD ,  epitaxial growth ,  diamond film ,  phosphine ,  optical carrier

JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Substance index (1)： Methane

Terms in the title (7)： ホウ素 ,  CVD ,  ダイヤモンド膜 ,  キャリア寿命 ,  Hall効果 ,  侵入 ,  深さ依存性