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J-GLOBAL ID：201302239483459804   Reference number：13A0824817

Enhancement in solar hydrogen generation efficiency using a GaN-based nanorod structure

GaNベースナノロッド構造を用いた太陽水素発生効率における増倍

Author (3)： BENTON J. (Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, GBR) ,  BAI J. (Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, GBR) ,  WANG T. (Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, GBR)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 102  Issue： 17  Page： 173905-173905-4  Publication year： Apr. 29, 2013 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *sequence and arrangement ,  *gallium nitride ,  *generation ,  *Solar Energy ,  *photoelectrode ,  dry etching ,  Hydrochloric Acid ,  solution (liquid) ,  photoirradiation ,  *photocurrent ,  optical absorption ,  *area ,  semiconductor ,  electrolyte ,  interface (surface) ,  *nanorod array
Semi thesaurus term： *hydrogen evolution ,  hydrochloric acid

JST classification (3)： Manufacturing of gaseous fuels  (YE02030F) ,  Solar energy application equipment  (QE05020H) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： GaN ,  ナノロッド ,  太陽水素