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J-GLOBAL ID：201302241573617934   Reference number：13A0033236

PLD法によりサファイア(0001)基板上にエピタキシャル成長させた立方晶β-AlN薄膜のNEXAFS測定

Author (5)： UEDA YUTARO (九大 大学院) ,  YOSHIDA TOMOHIRO (九大 大学院) ,  MORI SATOSHI (九大 大学院) ,  SUMITANI KAZUSHI (九州シンクロトロン光研究セ) ,  YOSHITAKE TSUYOSHI (九大 大学院)
Material： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集
Volume： 37  Page： 74  Publication year： Nov. 26, 2011 
JST Material Number： L1487A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： substrate(plate) ,  *aluminum nitride ,  cubic system ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  pulsed laser irradiation ,  *laser deposition ,  *epitaxy ,  *XANES ,  X-ray diffraction ,  crystal structure ,  beta phase ,  alpha phase
Semi thesaurus term： *NEXAFS ,  sapphire substrate

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  X-ray spectra in general.Including X-ray  (BM08101P)

Terms in the title (7)： PLD法 ,  サファイア ,  エピタキシャル成長 ,  立方晶 ,  AlN ,  薄膜 ,  NEXAFS