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J-GLOBAL ID：201302243069911930   Reference number：13A1040921

成長戦略下での実力発揮を期待される革新的CNT複合材料の開発現況 窒化物材料上グラフェンを活用したテラヘルツ帯デバイスの研究開発

Author (2)： SUEMITSU MAKI (東北大) ,  NAKABAYASHI TAKASHI (住友電気工業)
Material： 工業材料  (Engineering Materials)
Volume： 61  Issue： 7  Page： 43-46  Publication year： Jul. 01, 2013 
JST Material Number： F0172A  ISSN： 0452-2834  CODEN： KZAIA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： semiconductor device ,  *carbon material ,  MOCVD ,  MBE growth ,  silicon carbide ,  *FET ,  self alignment ,  aluminum nitride ,  evaporated film ,  frequency characteristic ,  *graphene ,  terahertz wave device
Semi thesaurus term： high frequency characteristic

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (10)： 成長戦略 ,  期待 ,  CNT ,  複合材料 ,  開発 ,  窒化物 ,  グラフェン ,  活用 ,  テラヘルツ ,  研究