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J-GLOBAL ID：201302245055868660   Reference number：13A0851568

パルスレーザー堆積法を用いたMn₄Nエピタキシャル薄膜の作製と評価

Author (11)： SHEN Xi (東大 大学院) ,  CHIKAMATSU AKIRA (東大 大学院) ,  CHIKAMATSU AKIRA (JST-CREST) ,  HIROSE YASUSHI (東大 大学院) ,  HIROSE YASUSHI (JST-CREST) ,  HIROSE YASUSHI (KAST) ,  FUKUMURA TOMOTERU (東大 大学院) ,  FUKUMURA TOMOTERU (JST-CREST) ,  HASEGAWA TETSUYA (東大 大学院) ,  HASEGAWA TETSUYA (JST-CREST) ,  HASEGAWA TETSUYA (KAST)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 60th  Page： ROMBUNNO.30A-F1-6  Publication year： Mar. 11, 2013 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *manganese compound ,  *nitride ,  laser deposition ,  epitaxy ,  magnetic thin film ,  Neel temperature ,  *ferrimagnetism ,  spintronics ,  *single crystal ,  electrical resistivity ,  temperature dependence ,  *anomalous Hall effect ,  *coercive force ,  pulsed laser deposition
Semi thesaurus term： *manganese nitride

JST classification (4)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O) ,  Magnetic domain and magnetization process in general  (BM06111M) ,  Magnetic materials  (NA04040H)

Terms in the title (5)： パルスレーザー堆積法 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  作製 ,  評価