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J-GLOBAL ID：201302247109286958   Reference number：13A1077174

Fabricaton and evaluation of BGaN for the realization of neutron semiconductor detector

中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価

Author (6)： ATSUMI KATSUHIRO (静岡大 大学院工学系研究科) ,  MIYAKE AKI (静岡大 大学院工学系研究科) ,  MIMURA HIDENORI (静岡大 電子工研) ,  INOUE YOKU (静岡大 大学院工学系研究科) ,  AOKI TOORU (静岡大 電子工研) ,  NAKANO TAKAYUKI (静岡大 大学院工学系研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 40(CPM2013 1-21)  Page： 19-22  Publication year： May. 09, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor detector ,  *neutron detector ,  image technology ,  neutron radiography ,  gallium nitride ,  *epitaxy ,  *boron compound ,  *nitride ,  *gallium compound ,  alpha beam ,  gamma-ray ,  *thin film growth
Semi thesaurus term： imaging technology ,  *窒化ガリウムホウ素 ,  neutron imaging

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Radiation detection and detectors  (AD08020J)

Terms in the title (5)： 中性子 ,  半導体検出器 ,  薄膜 ,  作製 ,  評価