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J-GLOBAL ID：201302248964778520   Reference number：13A1317904

High net modal gain (>100cm^-1) in 19-stacked InGaAs quantum dot laser diodes at 1000nm wavelength band

1000nm波長帯における19積層InGaAs量子ドットレーザの高正味モード利得(>100cm^-1)

Author (5)： TANOUE Fumihiko (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  TANOUE Fumihiko (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SUGAWARA Hiroharu (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  AKAHANE Kouichi (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Naokatsu (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
Material： Optics Letters  (Opt Lett)
Volume： 38  Issue： 13  Page： 2333-2335  Publication year： Jul. 01, 2013 
JST Material Number： H0690A  ISSN： 0146-9592  CODEN： OPLEDP  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium gallium arsenide ,  quantum dot ,  *semiconductor laser ,  semiconductor thin film ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  *gain ,  photoluminescence ,  emission spectrum ,  *quantum dot laser
Semi thesaurus term： *モード利得 ,  semiconductor quantum dot

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (3)： InGaAs ,  量子ドットレーザ ,  利得