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J-GLOBAL ID：201302249549731476   Reference number：13A0852989

第一原理計算による抵抗変化型メモリ材料ZrO₂へのドーピング評価

Author (4)： OSHIMA SHOTA (東京都市大 総研) ,  IWAMATSU MASAO (東京都市大 総研) ,  MARUIZUMI TAKUYA (東京都市大 総研) ,  SHIRAKI YASUHIRO (東京都市大 総研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 60th  Page： ROMBUNNO.29P-PB3-1  Publication year： Mar. 11, 2013 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *first principle ,  *RAM ,  *doping ,  *zirconium oxide ,  Yttrium ,  Magnesium ,  *vacancy ,  density functional method ,  energy ,  *defect level ,  Aluminum ,  oxygen vacancy ,  *resistance random access memory
Semi thesaurus term： GGA(approximation) ,  *formation energy ,  *resistive random access memory

JST classification (2)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (5)： 第一原理計算 ,  抵抗変化型メモリ ,  ZrO2 ,  ドーピング ,  評価