Art

J-GLOBAL ID：201302250773853801   Reference number：11A0031901

Improved power performance for a recessed-gate AlGaN-GaN heterojunction FET with a field-modulating plate

フォールド変調板を有するリセスゲートAlGaN-GaNヘテロ接合のための改良出力特性

Author (11)： OKAMOTO Y ,  ANDO Y ,  HATAYA K ,  NAKAYAMA T ,  MIYAMOTO H ,  INOUE T ,  SENDA M ,  HIRATA K ,  KOSAKI M ,  SHIBATA N ,  KUZUHARA M
Material： IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES
Volume： 52  Issue： 11  Page： 2536-2540  Publication year： 2004 
JST Material Number： O2755A  ISSN： 0018-9480  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (5)： 変調 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  出力特性