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J-GLOBAL ID：201302253793116519   Reference number：13A1753693

Tensile-Strained GeSn Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Devices on Si(111) Using Solid Phase Epitaxy

固相エピタクシーを用いたSi(111)上の引張歪みGeSn金属酸化物半導体電界効果トランジスタ素子

Author (9)： LIETEN Ruben R. (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  LIETEN Ruben R. (IMEC, Leuven, BEL) ,  MAEDA Tatsuro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  JEVASUWAN Wipakorn (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  HATTORI Hiroyuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  UCHIDA Noriyuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIURA Shu (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  TANAKA Masatoshi (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  LOCQUET Jean-Pierre (KU Leuven, Leuven, BEL)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 6  Issue： 10  Page： 101301.1-101301.4  Publication year： Oct. 25, 2013 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： epitaxy ,  strain ,  *MOSFET ,  *tin compound ,  *germanium compound ,  wafer ,  solid phase epitaxy ,  tensile strain ,  Si wafer
Semi thesaurus term： metal oxide semiconductor field effect transistor ,  silicon substrate

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 固相エピタクシー ,  Si ,  引張歪み ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果 ,  トランジスタ素子