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J-GLOBAL ID：201302254832560240   Reference number：13A1283230

Enhancement of light emission from Ge quantum dots by photonic crystal nanocavities at room-temperature

フォトニック結晶ナノ共振器によるGe量子ドットからの発光に関する室温での増大

Author (4)： XU Xuejun (Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...) ,  USAMI Noritaka (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  MARUIZUMI Takuya (Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...) ,  SHIRAKI Yasuhiro (Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 378  Page： 636-639  Publication year： Sep. 01, 2013 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *optical resonator ,  crystal ,  *photonic band gap ,  semiconductor ,  *Germanium ,  *quantum dot ,  device structure ,  MBE growth ,  SOI structure ,  Q-value ,  photonic crystal ,  *light nano resonator ,  hetero-structure
Semi thesaurus term： 固体ソースMBE

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Quantum optics in general  (BD04010X)

Terms in the title (5)： フォトニック結晶 ,  ナノ共振器 ,  Ge ,  量子ドット ,  室温