Art

J-GLOBAL ID：201302257346678297   Reference number：13A0998799

Development of highly functional light-emitting diodes by epitaxial technology

エピタキシャル技術がもたらすLEDの高性能化

Author (1)： NARUKAWA YUKIO (日亜化学工業 LED開発本部)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 82  Issue： 6  Page： 514-517  Publication year： Jun. 10, 2013 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *light emitting diode ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  blue light ,  *energy conversion efficiency ,  *white light ,  epitaxy ,  phosphor ,  visible light ,  yellow light
Semi thesaurus term： light emitting diode

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (20)：

• WU, J. Apl. Phys. Lett. 2002, 80, 3967
• YIM, W. M. J. Appl. Phys. 1973, 44, 292
• AMANO, H. Apl. Phys. Lett. 1986, 48, 353
• AMAMO, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1989, 28, L2112
• YOSHIMOTO, N. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 2251

Terms in the title (3)： エピタキシャル ,  LED ,  高性能化