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J-GLOBAL ID：201302259143781567   Reference number：13A0758298

Low Dark Current Ge PIN Photodiode for a High-Performance, Photonic BiCMOS Process for Radio-over-Fiber Applications

高性能フォトニックBiCMOSプロセスに適した光ファイバ無線応用のための低暗電流Ge PINフォトダイオード

Author (10)： LISCHKE S. (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  KNOLL D. (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  ZIMMERMANN L. (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  YAMAMOTO Y. (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  FRASCHKE M. (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  TRUSCH A. (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  KRUEGER A. (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  KROH M. (u2t Photonics AG, Berlin, DEU) ,  TILLACK B. (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  TILLACK B. (Technical Univ. Berlin, Berlin, DEU)
Material： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (IEEE Photonics Conference)
Volume： 2012  Page： 628-629  Publication year： 2012 
JST Material Number： T0931A  ISSN： 1092-8081  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photodiode ,  dark current ,  *radio transmission ,  BiCMOS
Semi thesaurus term： *p-i-n photodiodes ,  *ROF ,  photonic device

JST classification (1)： Optical integrated circuits,integrated optics  (BD06050D)

Terms in the title (8)： 高性能 ,  BiCMOS ,  プロセス ,  光ファイバ無線 ,  応用 ,  暗電流 ,  Ge ,  PINフォトダイオード