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J-GLOBAL ID：201302259495481849   Reference number：13A1826588

DLTS Evaluation of Near-Interface Traps in Ge-MIS Structures Fabricated by ECR-Plasma Techniques

ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価

Author (7)： OKAMOTO HIROSHI (弘前大学) ,  NARITA HIDEFUMI (弘前大学) ,  SATO SHIN'YA (弘前大学) ,  IWASAKI TAKURO (弘前大学) ,  ONO TOSHIRO (諏訪東京理科大学) ,  OTANI YOHEI (諏訪東京理科大学) ,  FUKUDA YUKIO (諏訪東京理科大学)
Material： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
Volume： 133  Issue： 8  Page： 1481-1484 (J-STAGE)  Publication year： 2013 
JST Material Number： S0810A  ISSN： 0385-4221  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *deep level transient spectroscopy ,  *device structure ,  *electron cyclotron resonance plasma ,  sputtering ,  heat treatment
Semi thesaurus term： *Ge-MIS構造 ,  ECRスパッタリング

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (15)：

• MATSUBARA, H. Evidence of low interface trap density in GeO_2/Ge metal-oxide-semiconductor structures fabricated by thermal oxidation. Appl. Phys. Lett. 2008, 93
• LEE, C. H. Ge/GeO_2 Interface Control with High-Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics. Appl. Phys. Express. 2009, 2
• FUKUDA, Y. Low-Temperature Formation of High-Quality GeO_2 Interlayer for High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Techniques. IEEE Trans. Electron Devices. 2010, 57, 282-287
• WANG, S. J. Thermal stability and band alignments for Ge_3N_4 dielectrics on Ge. Appl. Phys. Lett. 2006, 89
• MAEDA, T. Role of germanium nitride interfacial layers in HfO_2/germanium nitride/germanium metal-insulator-semiconductor structures. Appl. Phys. Lett. 2007, 90

Terms in the title (6)： ECRプラズマ ,  作製 ,  界面近傍 ,  トラップ ,  DLTS ,  評価