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J-GLOBAL ID：201302260738319482   Reference number：13A0215427

Strain relaxation mechanisms in step-graded SiGe/Si(110) heterostructures grown by gas-source MBE at high temperatures

高温でガスソースMBEによって成長した階段傾斜SiGe/Si(110)ヘテロ構造の歪み緩和メカニズム

Author (8)： SHIRAKI Y ,  SAWANO K ,  NAKAJIMA K ,  USAMI N ,  NAKAGAWA K ,  YAMANAKA J ,  WATANABE M ,  ARIMOTO K
Material： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Volume： 311  Issue： 3  Page： 819-824  Publication year： 2009 
JST Material Number： O2133A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (8)： ガスソースMBE ,  成長 ,  階段 ,  SiGe ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  歪み緩和 ,  メカニズム