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J-GLOBAL ID：201302260916769411   Reference number：13A1444741

Tunnel magnetoresistance in fully epitaxial CoFe/MgO/CoFe magnetic tunnel junctions on Ge(001) substrates via a MgO interlayer

MgO中間層を介したGe(001)基板上の完全エピタキシャルCoFe/MgO/CoFe磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗

Author (6)： LI Gui-fang (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TAIRA Tomoyuki (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  LIU Hong-xi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MATSUDA Ken-ichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  UEMURA Tetsuya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  YAMAMOTO Masafumi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
Volume： 47th-8th  Page： 77  Publication year： Jan. 06, 2012 
JST Material Number： L5918A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： thin film ,  iron containing alloy ,  *cobalt base alloy ,  *magnesium oxide ,  tunnel junction ,  germanium ,  wafer ,  Heusler alloy ,  RHEED ,  heat treatment ,  layer ,  *tunnel effect ,  *magnetoresistance effect
Semi thesaurus term： epitaxial film ,  Germanium substrate ,  *tunneling magnetoresistance effect ,  magnetic tunnel junction ,  interlayer

JST classification (1)： Metal-insulator-metal structures  (BM03087F)

Terms in the title (6)： MgO ,  中間層 ,  Ge ,  エピタキシャル ,  磁気トンネル接合 ,  トンネル磁気抵抗