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J-GLOBAL ID：201302261665673696   Reference number：11A0035286

Preparation and characterization of hafnium silicate dielectric layers by photo-assisted MOCVD using mixed precursor of Hf(O-t-C4H9)(4) and Si(O-t-C4H9)(4)

Hf(O-t-C4H9)(4)及びSi(O-t-C4H9)(4)の混合前駆体を用いる光支援MOCVDによるけい酸ハフニウム誘電体層の調製と性質決定

Author (3)： LEE H ,  KANASHIMA T ,  OKUYAMA M
Material： INTEGRATED FERROELECTRICS
Volume： 97  Page： 103-110  Publication year： 2008 
JST Material Number： O2885A  ISSN： 1058-4587  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (9)： HF ,  Si ,  前駆体 ,  支援 ,  MOCVD ,  けい酸ハフニウム ,  誘電体 ,  調製 ,  性質