新しいパワー半導体の研究開発,利用の動向  GaN半導体の研究開発の動向と今後の展望

EGAWA TAKASHI

Art

J-GLOBAL ID：201302262035010334 Reference number：13A1598117

新しいパワー半導体の研究開発,利用の動向 GaN半導体の研究開発の動向と今後の展望

Publisher site {{ this.onShowPLink() }} Copy service {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=13A1598117&COPY=1") }}
Access JDreamⅢ for advanced search and analysis. {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=13A1598117&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0720A") }}

Author (1)：
Material：
Volume： 98 Issue： 10 Page： 34-38 Publication year： Oct. 10, 2013
JST Material Number： G0720A ISSN： 0285-5860 Document type： Article
Article type：解説 Country of issue： Japan (JPN) Language： JAPANESE (JA)

, , , , , , , , , , ,
,

Transistors

, , , , ,

Return to Previous Page