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J-GLOBAL ID：201302263146663821   Reference number：13A1339742

A Study on 1/f Noise Characteristic in Independent-Double-Gate-FinFET

Independent-Double-Gate-FinFETの1/fノイズ特性に関する研究

Author (12)： SAKAI HIDEO (慶応大) ,  OUCHI SHIN'ICHI (産業技術総合研) ,  ENDO KAZUHIKO (産業技術総合研) ,  MATSUKAWA TAKASHI (産業技術総合研) ,  LIU Yongxun (産業技術総合研) ,  ISHIKAWA YUKI (産業技術総合研) ,  TSUKADA JUN'ICHI (産業技術総合研) ,  NAKAGAWA TADASHI (産業技術総合研) ,  SEKIGAWA TOSHIHIRO (産業技術総合研) ,  KOIKE HAMPEI (産業技術総合研) ,  MASAHARA MEISHOKU (産業技術総合研) ,  ISHIKURO HIROKI (慶応大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 112(ICD2013 24-46)  Page： 119-124  Publication year： Jun. 27, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *FET ,  *1/f noise ,  gate(semiconductor) ,  electric current ,  current density ,  electric field ,  flicker(electric) ,  semiconductor process ,  device structure ,  measurement system ,  frequency characteristic ,  *CAD
Semi thesaurus term： *FinFET ,  drain current ,  垂直電界 ,  field ,  flicker noise ,  silicon-on-insulator ,  device structure ,  *TCAD

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Noise in general  (ND04010J) ,  CAD,CAM  (JE10000A)

Terms in the title (3)： FinFET ,  ノイズ特性 ,  研究