Art

J-GLOBAL ID：201302266403830237   Reference number：13A1077177

Focused ion beam Ga implantation into P-doped SOI layer and its Seebeck coefficient

収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数

Author (6)： SUZUKI YUHEI (静岡大 電子工研) ,  MIWA KAZUTOSHI (静岡大 電子工研) ,  SALLEH Faiz (日本学術振興会) ,  SHIMOMURA MASARU (静岡大 電子工研) ,  ISHIDA AKIHIRO (静岡大 工) ,  IKEDA HIROYA (静岡大 電子工研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 40(CPM2013 1-21)  Page： 33-37  Publication year： May. 09, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： focused ion beam ,  SOI structure ,  Gallium ,  ion implantation ,  phosphorus ,  doping ,  *transport coefficient ,  *thermoelectromotive force ,  nanowire ,  thermocouple ,  *infrared detector ,  *silicon ,  concentration distribution ,  *Seebeck coefficient ,  SOI substrate ,  silicon nanowire
Semi thesaurus term： *N-type silicon ,  *P-type silicon ,  silicon nanowire ,  thermopile

JST classification (2)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Infrared photometry and photodetectors  (BD07032W)

Terms in the title (6)： 収束イオンビーム ,  ドープ ,  SOI基板 ,  Gaイオン ,  注入 ,  ゼーベック係数