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J-GLOBAL ID：201302269335271886
Reference number：13A0215523
Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ meltback-etched Si substrates
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Publisher site
Copy service
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Access JDreamⅢ for advanced search and analysis.
Author (2)：
,
Material：
Volume：
315
Issue：
1
Page：
196-199
Publication year：
2011
JST Material Number：
O2133A
ISSN：
0022-0248
Document type：
Article
Country of issue：
Other (ZZZ)
Language：
ENGLISH (EN)
Terms in the title (2)：
Terms in the title
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