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J-GLOBAL ID：201302271814289549   Reference number：13A0783140

Scalable High Performance PRAM for Storage Class Memory

ストレージクラスメモリのためのスケーラブル高性能PRAM

Author (15)： HORII H. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  PARK J. H. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  HAN S. M (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  KIM D. H. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  JUNG S. W. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  WU Zhe (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  AHN J. K. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  PARK Y. W. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  KIM J. U. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  CHO S. L. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  AHN D. H. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  LEE J. M. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  NAM S. W. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  KANG H. K. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  CHUNG C. H. (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
Material： Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science  (PCOS)
Volume： 24th  Page： 13-16  Publication year： 2012 
JST Material Number： L1450A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nonvolatile memory ,  *phase transition ,  recording material ,  *phase change random access memory ,  electronic circuit ,  data storage ,  *memory(computer) ,  amorphous semiconductor ,  germanium compound ,  antimony compound ,  telluride(chalcogenide)
Semi thesaurus term： reset circuit ,  high performance ,  phase change memory

JST classification (3)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Solid phase transitions  (BL04020G) ,  Memory units  (JC04060F)

Terms in the title (2)： 高性能 ,  PRAM