Art

J-GLOBAL ID：201302274850071737   Reference number：13A1033242

Semiconducting beta-phase FeSi₂ for light emitting diode applications: Recent developments, challenges, and solutions

発光ダイオード応用のための半導体ベータ相FeSi₂:最近の発展,チャレンジそして解決法

Author (1)： CHI D.z.
Material： Thin Solid Films
Volume： 537  Page： 1-22  Publication year： Jun. 30, 2013 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *light emitting diode ,  *silicide ,  *iron compound ,  compound semiconductor ,  *electroluminescence ,  *silicon ,  *heterojunction ,  carrier ,  confinement
Semi thesaurus term： 二重ヘテロ接合

JST classification (2)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (4)： 発光ダイオード応用 ,  ベータ相 ,  発展 ,  解決法