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J-GLOBAL ID：201302278581529999   Reference number：13A0893262

Formation of laterally-graded Ge based hetero-structure

溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成

Author (3)： MATSUMURA Ryo (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SADOH Taizoh (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 18(OME2013 1-22)  Page： 17-23  Publication year： Apr. 18, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor material ,  *SOI structure ,  *melt growth ,  *silicon ,  *segregation (concentration distribution) ,  transverse direction ,  functional gradient material ,  lattice constant ,  concentration gradient ,  device structure ,  cooling velocity ,  chemical composition ,  electron diffraction ,  heterojunction
Semi thesaurus term： SiGe ,  compositionally gradient ,  concentration gradient ,  stripe geometry ,  EBSD

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： 溶融法 ,  横方向 ,  組成傾斜 ,  Ge ,  ヘテロ構造