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J-GLOBAL ID：201302279776857881   Reference number：13A0015134

Buffer Design to Minimize Current Collapse in GaN/AlGaN HFETs

GaN/AlGaN HFETにおける電流コラプスを最少化するバッファ設計

Author (3)： UREN Michael J. (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  MOEREKE Janina (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  KUBALL Martin (Univ. Bristol, Bristol, GBR)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 59  Issue： 12  Page： 3327-3333  Publication year： Dec. 2012 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： dispersion ,  current-voltage characteristic ,  HEMT ,  pulse wave ,  measurement ,  gallium nitride ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  FET ,  Iron ,  doping ,  *buffer layer ,  *current collapse ,  aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： AlGaN ,  iron ,  GAN ,  *HFET ,  pulse measurements

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： GaN ,  AlGaN ,  HFET ,  電流コラプス ,  バッファ ,  設計