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J-GLOBAL ID：201302283438378061   Reference number：13A0759008

Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes Fabricated by Using Single-Crystal β-Ga₂O₃ (010) Substrates

単結晶β-Ga₂O₃の(010)基板を用いて作製されたGa₂O₃のSchottky障壁ダイオード

Author (7)： SASAKI Kohei (Tamura Corp., Sayama, JPN) ,  SASAKI Kohei (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (JST-PRESTO, Tokyo, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Sayama, JPN) ,  MASUI Takekazu (Koha Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., Sayama, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 34  Issue： 4  Page： 493-495  Publication year： Apr. 2013 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Schottky barrier diode ,  levitation melting ,  *single crystal ,  device structure ,  semiconductor process ,  factor ,  voltage ,  quality ,  alumina ,  indium oxide ,  *gallium oxide ,  Schottky barrier ,  Schottky barrier height ,  hetero-structure ,  crystal quality ,  ideality factor ,  breakdown voltage
Semi thesaurus term： Al2O3 ,  breakdown voltage ,  levitation melting

JST classification (2)： Diodes  (NC03050R) ,  Crystal structure of metal oxides and chalcogenides  (BK07020Y)

Terms in the title (5)： 単結晶 ,  β-Ga2O3 ,  作製 ,  Ga2O3 ,  Schottky障壁ダイオード