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J-GLOBAL ID：201302283850729650   Reference number：13A1077173

The process of GaN double polarity selective area growth by using carbon mask

カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス

Author (4)： FUJITA YOHEI (静岡大 大学院工学研究科) ,  TAKANO YASUSHI (静岡大 工) ,  INOUE YOKU (静岡大 工) ,  NAKANO TAKAYUKI (静岡大 工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 40(CPM2013 1-21)  Page： 13-17  Publication year： May. 09, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： Carbon ,  mask ,  *gallium nitride ,  polarity ,  *MOCVD ,  nonlinear optics ,  phase matching ,  periodic structure ,  *thin film growth ,  crystal structure ,  pseudo phase matching ,  both poles
Semi thesaurus term： *両極性同時成長

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： カーボン ,  マスク ,  GaN ,  両極性 ,  成長 ,  プロセス