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J-GLOBAL ID：201302286041213898   Reference number：13A0535550

Modification of Schottky barrier height on Si (111) by Ga-termination

Ga終端によるSi(111)上のSchottky障壁高さの改変

Author (3)： LONG Wei ,  LI Yang ,  TUNG Raymond T.
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 610  Page： 48-52  Publication year： Apr. 2013 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *termination ,  *gallium ,  *surface ,  *adsorption ,  metal ,  gold ,  silver ,  indium ,  *Schottky barrier ,  height ,  modification ,  charge transfer ,  stability ,  layer ,  *surface reconstruction ,  Auger electron spectroscopy ,  force microscope ,  low energy electron diffraction ,  *electrical characteristic
Semi thesaurus term： Kelvin probe force microscope ,  LEED ,  Si(111)表面 ,  パルチザン中間層 ,  *吸着終端 ,  termination

JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (5)： Ga ,  終端 ,  Si ,  Schottky障壁高さ ,  改変