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J-GLOBAL ID：201302287675260100   Reference number：13A1222887

Mobility Enhancement for Ge p-MOSFET with Metal Source/Drain by Hf Introduction into Gate Stack

ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化

Author (4)： YAMAMOTO KEISUKE (九大 産学連携セ) ,  SADA TAKAHIRO (九大 大学院総合理工学府・研究院) ,  WANG Dong (九大 大学院総合理工学府・研究院) ,  NAKASHIMA HIROSHI (九大 産学連携セ)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 87(SDM2013 44-64)  Page： 29-32  Publication year： Jun. 11, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： insulating film ,  hafnium ,  source ,  drain(semiconductor) ,  *MOSFET ,  *germanium ,  channel ,  *CMOS structure ,  carrier mobility
Semi thesaurus term： germanium ,  *p-channel MOSFET ,  gate stack

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： ゲートスタック ,  HF ,  メタル ,  ソース ,  ドレイン ,  Ge ,  MOSFET ,  高移動度