Art

J-GLOBAL ID：201302288507643017   Reference number：13A0794505

Progress of STT-MRAM Technology and the Effect on Normally-off Computing Systems

STT-MRAM技術の進展とそのノーマリーオフ計算システムへの影響

Author (8)： YODA H. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  FUJITA S. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SHIMOMURA N. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KITAGAWA E. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  ABE K. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NOMURA K. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NOGUCHI H. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  ITO J. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2012  Page： 259-262  Publication year： 2012 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *magnetoresistive random access memory ,  *torque ,  *spintronics ,  electron spin ,  equivalent circuit ,  cache memory ,  tunnel junction ,  magnetoresistance effect
Semi thesaurus term： MTJ ,  spin transfer torque

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (4)： STT-MRAM ,  進展 ,  ノーマリーオフ ,  計算システム