Art

J-GLOBAL ID：201302292670884584   Reference number：13A0633074

In-situ heavily p-type doping of over 10²⁰ cm^-3 in semiconducting BaSi₂ thin films for solar cells applications

太陽電池応用に対する半導体BaSi₂薄膜における10²⁰cm^-3を超えるin situ重度p型ドーピング

Author (9)： AJMAL KHAN M. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  HARA K. O. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8577, JPN) ,  DU W. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  BABA M. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  NAKAMURA K. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  SUZUNO M. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  TOKO K. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  USAMI N. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8577, JPN) ,  SUEMASU T. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 102  Issue： 11  Page： 112107-112107-3  Publication year： Mar. 18, 2013 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *solar cell ,  compound semiconductor ,  *barium compound ,  *silicon compound ,  *semiconductor thin film ,  doping ,  boron ,  experiment ,  secondary ion mass spectrometry ,  carrier density ,  electrical resistivity ,  temperature dependence ,  carrier mobility ,  RTA ,  MBE growth ,  container ,  particle source ,  impurity level ,  in situ experiment ,  acceptor level ,  hole mobility ,  hole density
Semi thesaurus term： Knudsen cell

JST classification (2)： Solar cell  (NC03084O) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 太陽電池 ,  応用 ,  薄膜 ,  p型ドーピング