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J-GLOBAL ID：201302294338370308   Reference number：13A0852151

MgZnO/ZnO二次元電子系における抵抗検出型ESRによるRashbaスピン軌道相互作用の検出

Author (9)： KOZUKA YUSUKE (東大 大学院) ,  FALSON Joseph (東大) ,  TERAOKA SOICHIRO (東大 大学院) ,  OIWA AKIRA (東大 大学院) ,  TARUCHA SEIGO (東大 大学院) ,  TARUCHA SEIGO (東大 ナノ量子機構) ,  TSUKAZAKI ATSUSHI (東大) ,  TSUKAZAKI ATSUSHI (JST-さきがけ) ,  KAWASAKI MASASHI (東大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 60th  Page： ROMBUNNO.28P-A8-8  Publication year： Mar. 11, 2013 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *spin-orbit interaction ,  *ESR ,  *low dimensional system ,  zinc oxide ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *magnesium compound ,  *zinc compound ,  *oxide ,  electron system ,  Rashba spin-orbit interaction ,  2 dimensional electron system ,  *magnesium zinc oxide
Semi thesaurus term： *magnesium zinc oxide

JST classification (2)： EPR of metals and semiconductors  (BM07022M) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Terms in the title (4)： ZnO ,  二次元電子系 ,  ESR ,  Rashbaスピン軌道相互作用