Art

J-GLOBAL ID：201302296817509780   Reference number：13A1195810

創エネ,省エネ,蓄エネマテリアルとしての「グラフェン」とその可能性 デバイス応用に向けたグラフェン基板の研究開発

Author (2)： HIURA HIDEFUMI (NEC スマートエネルギー研) ,  TSUKAGOSHI KAZUHITO (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
Material： 月刊Material Stage  (マテリアルステージ)
Volume： 13  Issue： 3  Page： 13-17  Publication year： Jun. 10, 2013 
JST Material Number： L5969A  ISSN： 1346-3926  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *carbon material ,  *substrate (plate) ,  *flux growth ,  Gallium ,  liquid metal ,  thin film ,  thick film ,  optical microscopy ,  electron microscopy ,  silicon carbide ,  Diamond ,  boron nitride ,  sapphire ,  glassy carbon ,  silica glass ,  Raman spectrum ,  substrate temperature ,  electronic state ,  carrier mobility ,  optical transmission ,  Young's modulus ,  rupture strength ,  nanostructure ,  material ,  *graphene ,  carbon source ,  carbon nanomaterials ,  Microscopy, Electron, Transmission ,  ore ,  precious stone ,  mechanical property ,  strength
Semi thesaurus term： carbon nanomaterials ,  transmission electron microscopy ,  fracture strength

JST classification (3)： Carbon and its compounds  (YB02060D) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (22)：

• 1) K. S. Novoselov et al., Science, 306, 666 (2004)
• 2) T. Ando, NPG Asia Mater. 1, 17 (2009)
• 3) M. Orlita et al., Phys. Rev. Lett. 101, 267601(2008)
• 4) R. R. Bair, et al., Science 320, 1308 (2008)
• 5) A. C. Lee, et al, Science 321, 385 (2008)

Terms in the title (7)： 創 ,  省エネ ,  グラフェン ,  可能性 ,  応用 ,  研究 ,  開発