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J-GLOBAL ID：201302297376385849   Reference number：13A0853877

極性ZnO基板上におけるペンタセン薄膜の成長モード

Author (9)： NAKAMURA TATSURU (大阪府大 大学院) ,  NAGATA TAKAHIRO (物質・材料研究機構) ,  HAYAKAWA RYUUMA (物質・材料研究機構) ,  OH S. J. (九大 大学院) ,  HIROSHIBA NOBUYA (物質・材料研究機構) ,  FUJIMURA NORIFUMI (大阪府大 大学院) ,  CHIKYO TOYOHIRO (物質・材料研究機構) ,  WAKAYAMA YUTAKA (物質・材料研究機構) ,  WAKAYAMA YUTAKA (九大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 60th  Page： ROMBUNNO.28P-G19-8  Publication year： Mar. 11, 2013 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： zinc oxide ,  *surface level ,  electronic state ,  organic semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  electron microscopy ,  thin film growth ,  polyacene

JST classification (1)： Thin films of organic compounds  (BK14070L)

Substance index (1)： Pentacene

Terms in the title (5)： 極性 ,  ZnO ,  ペンタセン ,  薄膜 ,  成長モード