Pat

J-GLOBAL ID：201303000243826622

テクスチャ形成面を有するシリコン基板およびその製造方法

Inventor： 新井 康司 ,  山口 直志 ,  谷口 泰士 ,  田辺 浩 ,  中山 一郎
Applicant, Patent owner： パナソニック株式会社
Agent (3)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012088251
Publication number (International publication number)：2013219164
Application date： Apr. 09, 2012
Publication date： Oct. 24, 2013
Summary：

【課題】基板面方位(111)のシリコン基板の表面に、ドライエッチング法によってテクスチャを形成することで、新しいテクスチャ形成面を有するシリコン基板を提供すること。【解決手段】本発明は、テクスチャを形成されたテクスチャ形成面を有する基板面方位(111)のシリコン基板であって、前記テクスチャ形成面には、複数の六角錘状の凹部が形成され、かつ前記凹部の深さは100nm〜10μmの範囲にあるシリコン基板を提供する。本発明のシリコン基板の製造方法は、基板面方位(111)のシリコン基板を用意するステップと、前記シリコン基板表面にエッチングガスを吹き付けるステップとフッ硝酸水で洗浄するステップを有し、前記エッチングガスには、ClF3,XeF2,BrF3,BrF5およびNF3からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

テクスチャ形成面を有する基板面方位(111)のシリコン基板であって、 前記テクスチャ形成面には、六角錘状の凹部が複数形成され、かつ前記凹部の深さは、100nm〜10μmの範囲にあること、 を特徴とするテクスチャ形成面を有するシリコン基板。

IPC (4)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/304

FI (4)：

H01L31/04 H ,  H01L21/302 201A ,  H01L21/306 B ,  H01L21/304 647Z

F-Term (26)：

5F004BA19 ,  5F004DA17 ,  5F004DA19 ,  5F004DA26 ,  5F004DA28 ,  5F004DB01 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043BB27 ,  5F043FF10 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB22 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F157AA09 ,  5F157AA28 ,  5F157AA63 ,  5F157AC01 ,  5F157BC53 ,  5F157BE12 ,  5F157BE32 ,  5F157BE42 ,  5F157BE45 ,  5F157BE46 ,  5F157DB03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• シリコン基板の異方性エッチング方法及び太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-139440   Applicant：松下電器産業株式会社
• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-332828   Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Optimization of front surface texturing processes for high-efficiency silicon solar cells"