Pat
J-GLOBAL ID：201303004905619563
微細構造の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011282501
Publication number (International publication number)：2013135001
Application date： Dec. 23, 2011
Publication date： Jul. 08, 2013
Summary：
【課題】従来よりも自由に、孔の大きさと深さの面内分布を制御することが可能となる微細構造の製造方法を提供する。【解決手段】微細構造の製造方法であって、 窒化物半導体基板の上に窒化物半導体層を成長させる工程と、 窒化物半導体層に第一の孔と、該窒化物半導体の結晶面で構成される多角形が有する対称性を示す点群の元による変換と、拡大縮小の組み合わせによって、該基板の主面の方向から見た平面視で、該第一の孔と合同にならない第二の孔を形成するエッチング工程と、 窒素を含む原料雰囲気下でマストランスポートによって、前記第一の孔と前記第二の孔の表面に前記窒化物半導体層を構成する窒化物半導体の結晶面を形成する熱処理を行う工程と、を有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
微細構造の製造方法であって、
窒化物半導体基板の上に窒化物半導体層を成長させる工程と、
窒化物半導体層に第一の孔と、該窒化物半導体の結晶面で構成される多角形が有する対称性を示す点群の元による変換と、拡大縮小の組み合わせによって、該基板の主面の方向から見た平面視で、該第一の孔と合同にならない第二の孔を形成するエッチング工程と、
窒素を含む原料雰囲気下でマストランスポートによって、前記第一の孔と前記第二の孔の表面に前記窒化物半導体層を構成する窒化物半導体の結晶面を形成する熱処理を行う工程と、
を有することを特徴とする微細構造の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01S5/183
, H01L21/302 201A
5F004DA04
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DA29
, 5F004DB19
, 5F004EA06
, 5F004FA01
, 5F173AC70
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP61
, 5F173AQ12
, 5F173AR99
