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J-GLOBAL ID：201303006034579969

半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法

Inventor： 山田 友子 ,  鑓田 宏 ,  木村 好壱
Applicant, Patent owner： 本田技研工業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人クシブチ国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011169113
Publication number (International publication number)：2013032965
Application date： Aug. 02, 2011
Publication date： Feb. 14, 2013
Summary：

【課題】半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無や位置を精度よく検出することが可能な半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法を提供する。【解決手段】基板上にはんだ接合により半導体素子6を実装した半導体装置2の検査装置1において、半導体素子6にON電圧を印加する電源供給部12と、半導体素子6にON電圧を印加したときに、半導体素子6に短絡電流を通電させる短絡回路15と、はんだ接合部に生じるボイドのサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけ半導体素子6に短絡電流を通電する制御手段11と、を備える構成とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にはんだ接合により半導体素子を実装した半導体装置の検査装置において、 前記半導体素子にON電圧を印加する電源供給部と、 前記半導体素子にON電圧を印加したときに、前記半導体素子に短絡電流を通電させる短絡回路と、 はんだ接合部に生じるボイドのサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけ前記半導体素子に短絡電流を通電する制御手段と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の検査装置。

IPC (1)：

G01R 31/26

FI (2)：

G01R31/26 A ,  G01R31/26 B

F-Term (7)：

2G003AA01 ,  2G003AA02 ,  2G003AB18 ,  2G003AD06 ,  2G003AE09 ,  2G003AH01 ,  2G003AH10