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J-GLOBAL ID：201303008860294140

含フッ素ビニルスルフィド誘導体並びに含フッ素ピラゾール誘導体の製造方法

Inventor：
花本 猛士

About 花本 猛士


Applicant, Patent owner：
東ソ-・エフテック株式会社

About 東ソ-・エフテック株式会社


Agent (3)： 水野 勝文 ,  岸田 正行 ,  高野 弘晋
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007244677
Publication number (International publication number)：2009073770
Patent number：5198020
Application date： Sep. 21, 2007
Publication date： Apr. 09, 2009
Claim (excerpt)：
【請求項1】下記一般式(1) (式中、R1、R2、R3、R4およびR5は各々独立して、水素原子、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基またはtert-ブチル基を示し、Aは炭素原子または窒素原子を示す。Aが窒素原子の時にはR1は存在しない。またAが炭素原子でR1、R2、R3、R4およびR5の全てが水素原子であることはない。) で表される(E)-アリール β-(トリフルオロメチル)ビニルスルフィド誘導体。
IPC (9)：
C07C 323/09 ( 200 6.01) ,  C07C 319/18 ( 200 6.01) ,  C07C 323/62 ( 200 6.01) ,  C07C 323/18 ( 200 6.01) ,  C07C 323/22 ( 200 6.01) ,  C07F 7/12 ( 200 6.01) ,  C07F 7/22 ( 200 6.01) ,  C07D 213/70 ( 200 6.01) ,  C07D 231/12 ( 200 6.01)
FI (9)：
C07C 323/09 CSP ,  C07C 319/18 ,  C07C 323/62 ,  C07C 323/18 ,  C07C 323/22 ,  C07F 7/12 V ,  C07F 7/22 N ,  C07D 213/70 ,  C07D 231/12 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • 特開昭61-205236
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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