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J-GLOBAL ID：201303011066769526
半導体層の検査方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011023447
Publication number (International publication number)：2011101049
Patent number：5189661
Application date： Feb. 07, 2011
Publication date： May. 19, 2011
Claim (excerpt)：
【請求項1】 基板上に形成された半導体層に光を照射するステップと、
該半導体層の物理的特性が変化するように、該半導体層に対して所定周波数の変調を印加するステップと、
該半導体層からの反射光を検出するステップと、
検出した反射光信号の中から変調周波数の成分を取り出すステップと、
照射光の波長を変化させて、半導体層で発生する励起子に特有な反射スペクトルを計測するステップと、
励起子に特有な反射スペクトルの広がりを定量的に表現するブロードニングファクターを考慮したフィッティングを行うステップと、を含むことを特徴とする半導体層の検査方法。
IPC (1)：
FI (2)：
H01L 21/66 N
, H01L 21/66 J
