Pat

J-GLOBAL ID：201303011873724455

水酸基が導入された多孔性配位高分子を用いた水素吸蔵

Inventor： 大久保 達也 ,  久保 優
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学
Agent (6)： 岩瀬 吉和 ,  小野 誠 ,  金山 賢教 ,  坪倉 道明 ,  重森 一輝 ,  城山 康文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011177294
Publication number (International publication number)：2013040119
Application date： Aug. 12, 2011
Publication date： Feb. 28, 2013
Summary：

【解決課題】 亜鉛四核クラスターとテレフタル酸の配位子から構成される多孔性配位高分子(MOF-5)に水酸基を導入して、水素貯蔵量を増大する。【解決手段】 Zn4Oクラスターと配位子からなり、各々の配位子がBDC又はHBDC又はであり(但し、全ての配位子がBDCである場合は除く。)、該クラスターと配位子が交互に配位結合されてなる多孔性配位高分子。(ここで、BDCは、p-(OOC-Ph-COO)であり、HBDCは、p-(OOC-Ph(OH)-COO)であり、Phはフェニル基を表す。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

Zn4Oクラスターと配位子からなり、各々の配位子がBDC又はHBDCであり(但し、全ての配位子がBDCである場合は除く。)、該クラスターと配位子が交互に配位結合されてなる多孔性配位高分子。(ここで、BDCはp-(OOC-Ph-COO)を表し、HBDCはp-(OOC-Ph(OH)-COO)を表し、Phはフェニル基を表す。)

IPC (8)：

C07C 63/26 ,  C07C 65/03 ,  B01J 37/04 ,  B01J 37/08 ,  B01J 31/22 ,  C01B 3/00 ,  B01J 20/30 ,  B01J 20/26

FI (8)：

C07C63/26 Z ,  C07C65/03 Z ,  B01J37/04 102 ,  B01J37/08 ,  B01J31/22 Z ,  C01B3/00 B ,  B01J20/30 ,  B01J20/26 A

F-Term (66)：

4G066AA53A ,  4G066AB05D ,  4G066AB06A ,  4G066AB07A ,  4G066AB09D ,  4G066AC11B ,  4G066BA22 ,  4G066CA38 ,  4G066DA01 ,  4G066FA03 ,  4G066FA21 ,  4G066FA34 ,  4G066FA37 ,  4G066FA38 ,  4G140AA42 ,  4G169AA02 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169BA21C ,  4G169BA22A ,  4G169BA22B ,  4G169BA28A ,  4G169BA28B ,  4G169BB04A ,  4G169BB04B ,  4G169BB12C ,  4G169BC35A ,  4G169BC35B ,  4G169BC35C ,  4G169BE06A ,  4G169BE06B ,  4G169BE06C ,  4G169BE08C ,  4G169BE09A ,  4G169BE09B ,  4G169BE37A ,  4G169BE37B ,  4G169BE37C ,  4G169BE41A ,  4G169BE41B ,  4G169FA01 ,  4G169FB05 ,  4G169FB27 ,  4G169FB29 ,  4G169FB57 ,  4G169FC02 ,  4G169FC07 ,  4G169FC10 ,  4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB40 ,  4H006AB90 ,  4H006BC31 ,  4H006BJ50 ,  4H006BN30 ,  4H006BS30 ,  4H048AA01 ,  4H048AA02 ,  4H048AA03 ,  4H048AB40 ,  4H048AB90 ,  4H048BB20 ,  4H048BC10 ,  4H048VA66 ,  4H048VB10