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J-GLOBAL ID：201303016858642363

強磁性トンネル接合体とそれを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス

Inventor： 介川 裕章 ,  三谷 誠司 ,  新関 智彦 ,  大久保 忠勝 ,  猪俣 浩一郎 ,  宝野 和博 ,  白井 正文 ,  三浦 良雄 ,  阿部 和多加 ,  村本 慎伍
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012039582
Publication number (International publication number)：2013175615
Application date： Feb. 27, 2012
Publication date： Sep. 05, 2013
Summary：

【課題】MgOバリア以外のトンネルバリア層を用いて従来にはない高いTMR値を達成することと構成元素の組成調整によって格子定数を連続的に変化させることを課題とした。【解決手段】上記課題を解決するために、トンネルバリア層がスピネル構造の原子配列が不規則化し、スピネル構造の半分の格子定数の立方晶構造を有する非磁性物質からなる強磁性トンネル接合を創製した。これらの強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイスを提供するものである。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

スピネル構造の結晶質酸化物のトンネルバリア層を二つの強磁性層で直接挟んだ構造からなる強磁性トンネル接合体であって、前記トンネルバリア層は、スピネル構造を安定相とする結晶質酸化物と構成元素が同じであるがスピネル構造の原子配列が不規則化した結晶構造を持ち、空間群Fm-3mもしくはF-43mの対称性をもつ立方晶の非磁性酸化物からなり、かつ、前記非磁性酸化物の格子定数が、前記スピネル構造を安定相とする結晶質酸化物の格子定数の半分であることを特徴とする強磁性トンネル接合体。

IPC (6)：

H01L 43/10 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39

FI (5)：

H01L43/10 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39

F-Term (28)：

4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119JJ02 ,  4M119JJ09 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5F092AA02 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB05 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092CA15 ,  5F092CA25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 磁性材料、この磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子、およびこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-028508   Applicant：三菱電機株式会社, 猪俣浩一郎