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J-GLOBAL ID：201303017311670580

プラズマディスプレイパネル

Inventor： 福井 裕介 ,  西谷 幹彦 ,  坂井 全弘 ,  岡藤 美智子 ,  奥井 やよい ,  本多 洋介 ,  山内 康弘 ,  井上 修 ,  浅野 洋
Applicant, Patent owner： パナソニック株式会社
Agent (3)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2011002544
Publication number (International publication number)：WO2011138870
Application date： May. 02, 2011
Publication date： Nov. 10, 2011
Summary：

保護膜周辺の構成を改良し、優れた二次電子放出特性を発揮させ、高効率化と長寿命化を期待できるPDPを提供する。さらに駆動時の放電遅れの発生を防止し、高速駆動する高精細なPDPでも高品位な画像表示性能の発揮を期待できるPDPを提供する。具体的には、誘電体層(7)の放電空間側の面に、膜厚約1μmの表面層となる保護膜(8)として、CeO2中に濃度が11.8mol%以上49.4mol%以下のSrを添加した結晶性膜を形成する。この上に、保護膜より高い二次電子放出特性の高γ微粒子(17)を配設する。これにより、保護膜の二次電子放出特性、輝度、効率、信頼性の向上を図る。

Claim (excerpt)：

複数の表示電極が配設された第一基板と、 第二基板とを有し、 前記第一基板が放電空間を介して第二基板と対向配置され、 前記放電空間に放電ガスが満たされた状態で、前記第一基板及び前記第二基板の間が封着されたプラズマディスプレイパネルであって、 前記第一基板の前記放電空間に臨む面には、CeO2に対して11.8mol%以上49.4mol%以下の濃度のSrを添加してなる保護膜が配設され、 前記保護膜の上には、前記保護膜の二次電子放出特性よりも高い二次電子放出特性を持つ、高γ微粒子が配設されている プラズマディスプレイパネル。

IPC (2)：

H01J 11/40 ,  H01J 11/12

FI (2)：

H01J11/40 ,  H01J11/12

F-Term (12)：

5C040FA01 ,  5C040FA04 ,  5C040GB03 ,  5C040GB14 ,  5C040GE01 ,  5C040GE08 ,  5C040KA04 ,  5C040KB22 ,  5C040KB28 ,  5C040MA10 ,  5C040MA12 ,  5C040MA17