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J-GLOBAL ID：201303017991386120

BiMeVOx系VOCsセンサ

Inventor： 島ノ江 憲剛 ,  山添 昇 ,  木田 徹也 ,  湯浅 雅賀 ,  南 卓也
Applicant, Patent owner： フィガロ技研株式会社
Agent (2)： 塩入 明 ,  塩入 みか
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007078736
Publication number (International publication number)：2008241299
Patent number：4859129
Application date： Mar. 26, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】絶縁基板上に設けたBiMeVOx酸素イオン導電体と、 BiMeVOxの基板との反対面に設けたペロブスカイト化合物ABO3(ここにAは希土類もしくはアルカリ土類元素を,Bは遷移金属元素を表す)を電極材料とする検知極膜と、 BiMeVOxの基板との反対面に設けた参照極膜で、参照極の内部へVOCsガスが拡散する前に、VOCsガスを除去するための酸化触媒を備えたものと、 基板を加熱するためのヒータ膜、とを設けたVOCsセンサ。

IPC (1)：

G01N 27/409 ( 200 6.01)

FI (1)：

G01N 27/58 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• CO2センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-081457   Applicant：フィガロ技研株式会社
• 酸化物イオン導電性セラミック膜構造/微細構造、空気から酸素を分離するための使用
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-559157   Applicant：レール・リキード-ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
• CO2センサとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-336194   Applicant：フィガロ技研株式会社
• 高圧酸素製造のための酸化物イオン導電性セラミック膜構造/微細構造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-559158   Applicant：レール・リキード-ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
• 多孔質電極、これを含む電気化学素子及びガス濃度検出センサ、並びに酸素分圧の制御方法及び可燃性ガスの検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-400057   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 安全センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-124005   Applicant：松下電器産業株式会社
• ガスセンサ及び炭化水素ガスセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-340600   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 日本特殊陶業株式会社
• 酸素センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-112661   Applicant：日本電子機器株式会社
• 特開平2-167459