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J-GLOBAL ID：201303020073151359

半導体レーザ素子

Inventor： ▲高▼堂 真也 ,  柏木 淳一
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (2)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012139876
Publication number (International publication number)：2013038394
Application date： Jun. 21, 2012
Publication date： Feb. 21, 2013
Summary：

【課題】透明電極をクラッドとして機能させ、かつ活性層に発光ピークを整合させることができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子101は、n型クラッド層14、n型クラッド層14上に形成されたn型ガイド層15、n型ガイド層15上に形成された発光層10、および発光層10上に形成されたp型半導体層12を備えた窒化物半導体積層構造2と、p型半導体層12上に形成された透明電極5とを含む。n型ガイド層15は、InGaN層とAlXGa1-XN層(0≦X<1)とを周期的に積層した超格子層を有し、この超格子層の平均屈折率が2.6以下である。前記超格子層を構成するInGaN層のIn組成が発光層10のInGaN量子井戸層のIn組成よりも小さい。前記超格子層が発光層10に接している。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

発振波長が400nm〜410nmの青紫色の光を発生する半導体レーザ素子であって、 n型III族窒化物半導体層と、 前記n型III族窒化物半導体層に積層され、InGaN量子井戸層を有する活性層と、 前記活性層に積層されたp型III族窒化物半導体層と、 前記p型III族窒化物半導体層に接触し、クラッドとしての機能を有する透明電極とを含み、 前記n型III族窒化物半導体層が、n型クラッド層と、このn型クラッド層と前記活性層との間に配置されたn型ガイド層とを含み、 前記n型ガイド層が、InGaN層とAlXGa1-XN層(0≦X<1)とを周期的に積層した超格子層を有し、この超格子層の平均屈折率が2.6以下であって、前記InGaN層のIn組成が前記InGaN量子井戸層のIn組成よりも小さく、前記超格子層が前記活性層に接している、 半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/20 ,  H01S 5/343

FI (2)：

H01S5/20 610 ,  H01S5/343 610

F-Term (6)：

5F173AA16 ,  5F173AF48 ,  5F173AF49 ,  5F173AG17 ,  5F173AH22 ,  5F173AR82