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J-GLOBAL ID：201303021193310996

半極性の半導体結晶およびそれを製造するための方法

Inventor： ヴンデラー,トーマス ,  シュヴァイガー,シュテファン ,  アルグト,イローナ ,  ロッシュ,ルドルフ ,  リプスキー,フランク ,  ショルツ,フェルディナンド
Applicant, Patent owner： フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
Agent (1)： 特許業務法人コスモス特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2012557448
Publication number (International publication number)：2013522152
Application date： Mar. 18, 2011
Publication date： Jun. 13, 2013
Summary：

III族窒化物(III-N)を含む、半極性半導体結晶を製造する方法であって、{11-23}ファミリーの結晶面によって形成される第1の表面を有するサファイア(Al2O3)を含む出発基板を提供する工程と、出発基板上にて第1の表面の上にIII族窒化物(III-N)を含む半極性結晶層をエピタキシャル成長させ、III族窒化物の{10-11}ファミリーの結晶面によって提供される第2の表面を形成する工程を含む。III族窒化物としてGaNが特に考慮されてもよい。出発基板(サファイア)および成長結晶(例えばGaN)の組み合わせとして、{22-43}サファイア上の{20-21}GaN、{11-26}サファイア上の{10-12}GaNが挙げられる。GaNの結晶配向が、{20-2l}のファミリーに一般化でき、lが自然数1、2、3、4・・・である。さらに、{10-11}上の{11-21}GaNがこの方法に含まれる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

III族窒化物(III-N)を含む半極性の半導体結晶を製造する方法であって、 サファイア(Al2O3)を含み、サファイアの結晶面に平行な第1の表面(3)を有する出発基板(2)を提供する工程と、 前記出発基板(2)上において前記第1の表面(3)の上にIII族窒化物(III-N)を含む半極性結晶層(18)をエピタキシャル成長させる(17,19)工程であって、それによって第2の表面(22)を形成し、これが前記第1の表面(3)に略平行であり、前記III族窒化物の結晶面によって形成される工程と を含む、方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

F-Term (38)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077GA05 ,  4G077GA10 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  4G077TK11 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF07 ,  5F045AF13 ,  5F045DA53