Pat
J-GLOBAL ID:201303022721653430
静電容量式センサ
Inventor:
,
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
三好 秀和
, 伊藤 正和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011138168
Publication number (International publication number):2013003125
Application date: Jun. 22, 2011
Publication date: Jan. 07, 2013
Summary:
【課題】スティッキングをより抑制することのできる静電容量式センサを得る。【解決手段】錘部4(5)と当該錘部4(5)を揺動自在に支持する一対のばね部6a、6b(7a、7b)とが形成されたシリコン基板1と、シリコン基板1に接合されるとともに錘部4(5)と対向して配置される固定電極を有した支持基板2aと、を備える。前記固定電極は、前記一対のばね部6a、6b(7a、7b)を結ぶ直線を境界線として当該境界線の一方側および他方側にそれぞれ配置される第1の固定電極20a(21a)と第2の固定電極20b(21b)を備えており、この第1の固定電極20a(21a)と第2の固定電極20b(21b)との間の支持基板2aに、一対のばね部6a、6b(7a、7b)間に亘る対向領域を凹設させた凹部40を設ける。【選択図】図4
Claim (excerpt):
錘部と当該錘部を揺動自在に支持する一対のばね部とが形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板に接合されるとともに前記錘部と対向して配置される固定電極を有した支持基板と、を備え、
前記固定電極は、前記一対のばね部を結ぶ直線を境界線として当該境界線の一方側および他方側にそれぞれ配置される第1の固定電極と第2の固定電極を備えており、
前記第1の固定電極と前記第2の固定電極との間の前記支持基板に、前記一対のばね部間に亘る対向領域を凹設させた凹部を設けたことを特徴とする静電容量式センサ。
IPC (3):
G01P 15/125
, G01P 15/18
, H01L 29/84
FI (3):
G01P15/125 Z
, G01P15/00 K
, H01L29/84 Z
F-Term (16):
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA22
, 4M112CA24
, 4M112CA26
, 4M112CA31
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA18
, 4M112EA03
, 4M112EA06
, 4M112EA13
, 4M112FA01
, 4M112FA05
, 4M112FA07
Return to Previous Page